随着5G通信、移动互联网、物联网、汽车电子、人工智能技术发展，软磁铁氧体材料应对市场热需，各专项性能实现了突破性进展。

各大公司竞相在四大方向扩展了原有性能，推出具有特色的派生材料，即高频（ 50 ）族群、高 Bs高叠加（ 90 ）族群、高居里点宽温（ 95 ）族群和高阻抗（ 5K、10K、12K ）族群等。

随着5G和无线充电的高频要求，一些传统低功耗和宽温材料及其扩展派生的系列，均有了按高频测试的要求 （ 500kHz、50mt及以上）。

即使Pc50也派生出了更高频率的自成一族的系列材料应对高频市场。

耀润电子、新康达、中德、天通、联丰公司、东磁、越峰、菲磁等公司先后开发研究出适应市场需求的新型软磁铁氧体材料。

传统低功耗铁氧体材料在高频率、高磁通密度、高温度下的功率损耗显著增大，引起高温升、低效率、高失效率等一系列问题。

开发与SiC、GaN器件适配的新型低功耗铁氧体材料及磁心元件很有必要。

材料开发方向：

1. 、适配SiC器件的300kHz/100mT宽温低功耗材料；

2、适配GaN器件的1MHz及3MHz/50mT宽温低功耗材料。

3、受铁磁共振效应的限制(Snoek limit)，MnZn铁氧体用于功率变换的最佳频率上限约为5~6MHz。

4、NiZn低功率铁氧体更适合6MHz以上频段使用。

5、10MHz以上频段各类元件的高频损耗、EMI、分布参数影响等限制了GaN器件电源的应用，有待技术上的创新突破。